6. По формулам (2.6), (2.7) находят гармонические коэффи* циенты Yi и Y*b

7. Из выражений (2.1) -(2.4) определяют у-1параметры нелинейной части схемы.

8. По формулам (2.13) вычисляют элементы матрицы q.

9. Определяется матрица Q, обратная q.

10. Из выражений (2.14), (2.15) определяют искомые У-пара-метры СВЧ транзистора.

Рассмотрим порядок определения У-параМетров транзистора с ОБ. Для повышения точности расчетов КПД при гармоническом анализе НЧС (см. рис. 2.2, штриховые линии), в дополнение [24], учтем сопротивление Гк. Для этого случая решение дифференциальных уравнений относительно 0о, Bi, составленных согласно [24J для рабочей области и области отсечки, имеет вид

f (созвн)

coscpi cos 0н

COS фа

COS(eo-f JPi)

COSiQi+tp)-

cos(ei + q)i)-

cos(ei + q)2)-где

Ф1 = arctg Oil Фа = -arctg 0; 0 = -

f (созбн) coscpi

cosGh

C0SCp2

(2.19)

25 + 00+01

= 0. (2.20)

Cl=l

Гв , 1+Р(Лба + Лб1)

Qi=(h; /(со8ен)=-

=-C;r,+Ta + T,2 + (l+a)(r + r,i)C;;

C = C +Cg; Ti = r6iC ;.

T2 = (/k + -6i)C ; a = -

Po + 1

Из совместного решения уравнений (2.19), (2.20) находятся величины 9о, Эь а затем коэффициенты разложения нулевой и п-й гармоник:

Yo = -t [cos ft) f+/ (cos eJ d ft) f; (2.21) 1 2я--ео

0 = J (cosft)+cosejdft),; (2.22)

Y = -1-1 (cos ft) + cos Он) exp (-j n CO 0 rf (01; (2.23)

1 2n+e

y* =- J (со8 )+со$6н)ехр(-jn(oOdfi) 22

(2.24)

Если коэффициенты разложения известны, то 1/-параметры большого сигнала НЧС на первой гармонике определяются [24]:

где у°г], Угз - /-параметры НЧС для открытого и транзисторов;

уЬ =-

(2.25)

закрытого

11 =+ а)-68 +-61 + Z.

12 - 61

coC

( k+-6i)-i

coCb

(2.26>

Элементы матрицы ytj определяются также из (2.26) при Сд= = Сэо, а=0, Гэ-оо.

Порядок матрицы проводимостей ЭСТ с общей базой также равен пяти, а элементы ее определяются из выражений:

uyi + yz + ys 9i2 = 92i=-t/iJ Я1ъЯъ1 = Уь>

Я22 = У1 + УП 923932=125 Я2i==ЯiZ=-{Уzl+Уu) Язв = У22 + Уъу 934 = 943 = - У%1 + f/22 . 9з5 = ЯьЗ=-Уъ\

944 = Уи + У12 + У21 + 22 + yi 9б5 = Ув+Уь + Уа 9i3 = 9i4 = 926 = 9з1 = 941 = 94Б = 9б1 = 9б4 == 0;

1/1=(]й)Ьэ)-; 1/2=] й)Сэб; /з=]< Сэк; i/4=(jft)Z,6)-M y={}pL-;

Используя (2.19) - (2.27), по аналогии со схемой общего эмиттера легко составить алгоритм расчета У-параметров транзистора с ОБ [29]. На основании вычислений У-параметров возможно оценить устойчивость транзистора, воспользовавшись понятием внутреннего коэффициента устойчивости [24]:

(2.27)

Ку=12 + Re (Па 21)1/112 il.

(2.28)

где G j = Rey >

Однако следует иметь в виду, что оценка устойчивости транзистора в нелинейном режиме с помощью величины Ку является приближенной, так как не учитываются следующие причины неустойчивости: тепловые колебания, параметрическая генерация гармоник и субгармоник.

Примеры вычислений У-параметров на первой гармонике транзистора КТ911Б приведены на рис. 2.4-2.6, а расчетные значе-

0,16

0,1Z 0,08 O.Oh

OA 0,8 1,1 /,ГГц a)

-ojnz

-0,020

-0,021 ~0,03S

0.5 0,8 1.1 fjra, 6)

Phc 2.4. Частотные зависимости Сц, Ga транзистора КТ9М1Б

0,05 -0,0S -0.15 0.2S

0.5 0.6 1,1 f, ГГц, a)

B, Cm

0.03 0,06

O.03 0

0.5 0.6 1.1 f.rrn S)

-0.04

-0,08

O.Ot 0

-O.Ot -0,08

0,5 0,8 1.1 f,rrn 6)

0.5 0.8 1,1 f,rru г)

Рис. 2.5. Частотные зависимости G21, G22, Ви, Вц транзистора КТЭМБ