зависит (см. рис. 7.8) от выбора рабочего участка зависимости m3=f{UBxi~UBx2), а также от величины допустимой рассеиваемой мощности коллектора Ркдоп транзистора (табл. 7.1). Опасность нарушения радиоприема резко возрастает при сближении частот сигнала fi и помехи /2; скорость повышения уровня мз при

М дБ

30 W 50ЩЩ2,(Ь -3,5-3,0 г.5-г,0-1,5-1.0-а,5 о 1.0 1.5 2.02,53,0 3,5Ц г.Г<Х

Рис. 7.8. Зависимость уровня ннтер- Рис. 7.9. Зависимость уровня интермодуляции от величины входных сиг- модуляции от величины расстройки налов для транзистора КТ637А-2 Д/1,2 для транзистора KT637A-I2

A/i,2=(f2-/i)->-0 тем больше, чем выше уровни входных сигналов Ubxi = Ubx2. Результаты экспериментальной зависимости Л1з= =/(АА,2) для транзистора КТ637А-2 (схема включения ОЭ, Z7k~5B) показана на рис. 7.9.

Таблица 7.1

Уровень ИМИ ВЧ транзисторов при различных значениях [/вх1 = £/вх2

Необходимо заметить, что наряду с прямыми способами измерения уровня ИМИ существуют косвенные способы, с помощью которых возможно оценить транзистор с точки зрения оптимальной линейной характеристики, не проводя измерений Mz. Один из этих способов основан на измерениях зависимости модуля коэффициента передачи АП в прямом направлении от тока коллектора /к: S2i=/(/k), которая в соответствии с физической природой транзистора всегда имеет максимум S2ijnaa;, а нелинейные искажения достигают минимального уровня при /к, не превышающих значений /к = /<к, при которых S2l = S2ima3c-

Характерная зависимость 521=/(/к) для исследованных транзисторов в метровом диапазоне приведена на рис. 7.10. Зависимость снята на частоте /=120 МГц при напряжении на коллекторе Uk=5 в, {/вх=97 дБмкВ. Важно отметить, что уровень ИМИ меньше у транзисторов, имеющих большее значение допустимого

тока коллектора, при котором достигается S2ima3c, так как это позволяет использовать АП при больших токах /к и тем самым, как показано ниже, получить меньший уровень нелинейных искажений (табл. 7.2).

30 I,Mfl

-ю -го,

30 4,мл

Рис. 7.10. Зависимость модуля S2i от величины тока коллектора для траизистора КТ382Б в схеме ОЭ

Рис. 7.11, Зависимость уровня интермодуляции от величины токи коллектора транзистора КТ382Б

Границы изменения токов коллектора /к, соответствующие оптимальной линейной характеристике, могут превышать (допускалась кратковременная установка такого режима при экспериментальных исследованиях) допустимые значения /к доп. Это необходимо учитывать при окончательном выборе режима работы транзистора, выполняя неравенство /к</кдоп.

Таблица 7.2

Сравнительные результаты по S2ima:t и уровню ИМИ лекоторых типов ВЧ транзисторов

Анализ характеристик нелинейности активных приборов приемного канала АППА показывает, что уровень ИМИ зависит от типа АП, а также от режима по постоянному току. Увеличение постоянной составляющей тока коллектора приводит к уменьшению уровня ИМИ (участок а-Ь, рис. 7.11). На этом рисунке представ-

лена зависимость Мз=/(/к) транзистора типа КТ382Б (схема включения ОЭ) при {/к=5 Б, /вх1={/вх2=97 дБмкВ, A/i,2 = =2 МГц. Скорость изменения величины Мз от /к на этом участке для различных исследованных транзисторов составляет а= = (0,4-1-2,2) дБ/дБ, а минимальное значение Мз достигается (см. (рис. 7.11) при значениях /к=5--18 мА. После некоторого изменения уровня ИМИ при дальнейшем увеличении /к наступает режим насыщения, характерный тем, что при /к>/кнас величина Мзиас практически постоянна (рис. 7.11) в сравнительно широком диапазоне изменения режима по току. Величина Мзиас для различных исследованных транзисторов при 7вх1 = вхг = 97 дБмкВ изменяется в пределах- (16-f-48) дБ, причем меньший уровень ИМИ достигается у транзисторов с большим значением /кдоп (см. табл. 7.2). Для получения минимальных ИМИ транзистор должен применяться в режиме /к>/к нас Поскольку условие /к нас</к доп выполняется для транзисторов средней и большой мощностей, целесообразно использование этих транзисторов в приемных каналах АППА.

Оценку линейности амплитудных характеристик транзисторов дециметрового диапазона возможно провести по зависимости коэффициента усиления Кр от входной мощности Рвх- Критерием линейности АХ является такая мощность Рвх=Рвхо, при которой Кр уменьшается на 1 дБ по сравнению с Кртах- Динамический диапазон £)дп оценивается как отношение Рвхо к мощности оптимального Ршо активного прибора:

£ап = 10 Ig (вх о/Ршо) - 10 Ig [Р o/k То (Fo -1) А /], где k - постоянная Больцмана; То - абсолютная температура; Fo - оптимальный коэффициент шума активного прибора; Af - полоса пропускания приемника.

Рассчитанные значения /Здп а частоте f-l ГГц приведены в табл. 7.3.

Таблица 7.а Динамический диапазон СВЧ транзисторов на частоте 1 ГГц

Примечание. Для транзистора 2П905Б Ug=2,5 В.