Строительный блокнот  Корпуса микропроцессорных микросхем 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 [ 53 ] 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121

Рис. 3.75. Временные диаграммы работы

КР580ВК28, КР580ВК38

и сг

BUSB

ввшо

twnstt)


tsulns-euSfH. hl) ,

В небольших микропроцессорных систе

мах выход INTA микросхем КР580ВК28/ КР580ВК38 можно подсоединить к напряжению + 12 В через резистор сопротивлением 1 кОм. Во время действия сигнала RC буферная схема данных микросхемы формирует код команды RST7 и передает на канал данных микропроцессора. Таким образом, микро схема обеспечивает единственный вектор прерывания с номером 7 без дополнительных компонентов.

Основные параметры микросхемы в диапазоне рабочих температур от -10 до +70 С при напряжении питания 5 В±5% приведены в табл. 3.57.

3.13. Микросхемы КР580ИР82 и КР580ИР83

Микросхемы КР580ИР82 и КР580ИР83 - 8-разрядные адресные регистры, предназначены для связи микропроцессора с системной шиной; обладают повышенной нагрузочной способностью. Микросхема КР580ИР82 - 8-разрядный 0-регистр- защелка без инверсии и с тремя состояниями на выходе, КР580ИР83 - 8-разрядный 0-регистр- за-целка с инверсией и тремя состояниями на выходе.

Условное графическое обозначение микросхем приведено на рис. 3.76, назначение вы-



Рис. 3.76. Условное Графическое обозначение КР580ИР82 (а) н КР580ИР83 (б)

вг аз

Р BS


Вывод

Обозначение

Тип вывода

Функциональное назначение выводов

D0-D7

Вход

Информационная

шина

Вход

Разрешение пере-

дачи (управление

3-м состоянием)

Общий

Вход

Стробирующий

сигнал

12-19

Q7-Q0

Выход

Информационная

(Q7-Q0

шина

КР580ИР83)

Напряжение пита-

ния +5 В±57о

Рнс. 3.77. Функциональная схема КР580ИР82 (а) и КР580ИР83 (б)

водов - в табл. 3.58, функциональная схема показана на рнс. 3.77.

Каждая микросхема состоит из восьми одинаковых функциональных блоков и схемы управления. Блок содержит D-триггер- защелку н мощный выходной вентиль без инверсии нли с инверсией. При помощи схемы управления производится стробирование записываемой информации и управление третьим состоянием мощных выходных вентилей.

В зависимости от состояния стробирующего сигнала STB микросхемы могут работать в двух режимах: в режиме шинного формирователя и в режиме хранения.

Работу микросхем поясняет временная лиаграмма (рис. 3.78). При высоком уровне сиг-


Рис. 3.78. Временная диаграмма работы КР580ИР82, КР580ИР83

-2-1



чения

Параметр

параметров

Режим измерения

Обозначение

мин.

макс.

Выходное напряжение низкого уров-

0,45

(Усе =4 .75 В,

ня, В

и, = 0,8 В,

( = .o В,

Iql = 32 мА

Выходное напряжение высокого уров-

(Усе = 4.75 В,

ня, В

и, = 0,8 В, я-=2,0 В, он - -5 мА

Входной ток низкого уровня, мА

-0,2

(7(, = 5,25 В, и, 0,45 В,

Входной ток высокого уровня, мкА

(Усе 5,25 В, СУ/Я-5,25 В,

Выходной ток в состоянии выключено , мкА

1 ±501

(7сс-=5,25 В, (7р = 0,45-5,25 В

Ток потребления, мА

(/сс-.- 5,25 В

Время задержки распространеиня

сигналов Q, Q относительно сигнала

D, не:

для КР580ИР82

p(D-Q)

Усс = й.О В,

для КР580ИР83

p(D-Q)

= 300 пФ

Время задержки распространения

сигналов Q, Q относительно сигнала

STB, не:

(7сг = 5,0 В,

для КР580ИР82

p (STB-Q)

для КР580ИР83

<P(STB-Q)

С/ = 300 пФ,

Время задержки распространеиня

pHZ- PLZ

(7сс = 5,0 В,

сигналов Q, Q при переходе их из

С/ = 300 пФ

состояния высокого, низкого уровня

в 3-е состоянне, ис

(7сс= 5,0 В, Cl = 300 пФ,

Время задержки распространения

pZH PZL

сигналов Q, Q при переходе их из

3-го состояния в состояние высокого.

низкого уровня, ис

Время перехода при выключении

20(12)

[;сс = 5,о В,

(включении), ис

= 300 пФ, уровни отсчета 0,8 и 2,0 В (2,0 н 0,8 В)

Входная емкость, пФ

Усе-5,0 В,

и, 2,5 В, /= 1 МГц

Примечания. 1. Уровни отсчета прн измерении временных параметров: прн переходах lh, HL 1,5 В; прн переходах lz, zl 0,55 В; при переходах hz, zh 2,3 В.

2. Максимальные значения временных параметров приведены при температуре 25±10С. В диапазоне температур - 10...--70°С эти значения увеличиваются в 1,5 раза.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 [ 53 ] 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121