Параметр

Время установления сигнала D относительно сигнала STB, НС Время сохранения сигнала D относительно сигнала STB, ис Длительность STB высокого ис

Длительность (спада) входных пульсов , НС Емкость нагрузки, пФ

сигнала уровня,

фронта им-

Обозна-ченне

Значения параметров

h(STB~D)

WH. STB

20(12) 300

Уровни отсчета 0,8 и 2,0 В (2,0 и 0,8 В).

нала STB и низком сигнала ОЕ микросхемы работают в режиме шинного формирователя: информация на выходах Q или Q повторяется или инвертируется по отношению к входной информации D. При переходе сигнала STB из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня происходит защелкивание передаваемой информации во внутреннем триггере, н она сохраняется до тех пор, пока иа входе STB присутствует напряжение низкого уровня. В течение этого времени изменение информации на входах D не влияет на состояние выходов Q, Q. При переходе сигнала STB вновь в состояние высокого уровня состояние выходов приводится в соответствие с информационными входами D.

При переходе сигнала ОЕ в состояние высокого уровня все выходы Q, Q переходят в

3-е состояние независимо от входных сигна-лов STB и D. При возвращении сигнала ОЕ в состояние низкого уровня выходы Q, Q переходят в состояние, соответствующее внутренним триггерам.

Примеры использования микросхем КР580ИР82, КР580ИР83 приведены на рис. 16.23-16.25.

При обращении к внешнему устройству микропроцессор в начальный период цикла выполнения микрокоманды выдает на местную шину адрес этого устройства, который передается на системную шину необходимым числом регистров КР580ИР82 или КР580ИР83.

В качестве стробирующего сигнала используется сигнал ALE контроллера шины КР1810ВГ88. Разрешение доступа к шине и отключение от нее (переход выходов в 3-е со-стояние) осуществляется с помощью сигнала AEN арбитра КР1810ВБ89.

Основные электрические параметры микросхем приведены в табл. 3.59, предельно допустимые и предельные электрические режимы эксплуатации - в табл. 3.60 и 3.64 соответственно.

3.14. Микросхемы КР580ВА86 и КР580ВА87

Микросхемы КР580ВА86 и КР580ВА87 - двунаправленные 8-разрядные шинные формирователи, предназначенные для обмена данными между микропроцессором и системной шиной; обладают повышенной нагрузочной способностью. Микросхема КР580ВА86 -формирователь без инверсии и с тремя состояниями на выходе, КР580ВА87 - формирователь с инверсией и тремя состояниями на выходе.

Условное графическое обозначение микросхем приведено на рис. 3.79, назначение выводов - в табл. 3.61, функциональная схема показана на рис. 3.80.

Таблица 3.61

Ucc-.

(♦

JL 12. w

JL 4-

SB $

Рис. 3.79. Условное графическое обозначение КР580ВА86 (а) и КР580ВА87 (б)

А1 А2

Д5 АВ

U, I

а------\-

1------

1------

4-- ----1-

Н------1-

-I------h

А------>-

8* Sf

А1 А2

------

------

8<

Рис. 3.80. Функциональные схемы КР580ВА86 (о) и КР580ВА87 (б)

Каждая микросхема состоит из восьми одинаковых функциональных блоков и схемы управления. Блок содержит два разнонаправленных усилителя-формирователя. При помощи схемы управления производится разрешение передачи (управление 3-м состоянием выходов) и выбор направления передачи информации.

В зависимости от состояния управляющих сигналов ОЕ и Т микросхемы могут работать в режиме передачи А-*В,В, В,ВА или в режиме выключено (см. временную диаграмму на рис. 3.81):

при О£ = 0, Т=\ - направление передачи АВ,В;

при ОЕ-0, Т = 0 - направление передачи В.В--А;

при 0£ = 1, Т = Х - на выводах А,В,В ~ 3-е состояние, где X - безразличное состояние.

Примеры использования микросхем КР580ВА86 и КР580ВА87 приведены на рис. 3.82, 16.23-16.25. При этом выводы А

peikuh 4~B,S i

Рис. 3.81. Временная диаграмма работы КР580ВА86, КР580ВА87

подсоединяются к местной процессорной шине, а выводы В,В, имеющие большую нагрузочную способность, - к системной шине. Для 16-разрядной шины данных следует подключать две микросхемы КР580ВА86 или

КР580ВА87.

Сигнал разрешения передачи ОЕ поступает с выхода DEK через инвертор, а сигнал

выбора направления пе редачи Г - непосредственно с выхода DTIR контроллера шины КР1810ВГ88 (см. рис. 16.23-16.25).

Основные электрические параметры микросхем приведены в табл. 3.62, предельно допустимые и предельные электрические режимы эксплуатации - в табл. 3.63 и 3.64 соответственно.

Выходное напряжение низкого уровня, В

Выходное напряжение высокого уровня, В

Входной ток низкого уровня, мА

Входной ток высокого уровня, мкА

Выходной ток низкого уровня в состоянии выключено , мА

Выходной ток высокого уровня в состоянии выключено , мкА

Ток потребления, мА:

для КР580ВА86

для КР580ВА87

Время задержки распространения выходного сигнала относительно входного ниформацнонного сигнала, ис:

для КР580ВА86

для КР580ВА87

Время задержки распространения сигналов А, В. В при переходе из состояния высокого, низкого уровня в 3-е состояние, не

Время задержки распространения сигналов Л, В, В при переходе их из 3-го состояния в состояние высокого, низкого уровня, НС

Время перехода при выключении/ включении, НС

Входная емкость, пФ

Р(А-В) р(В-А)

Р{А-В) Р(В-А) PHZ, PLZ

PZH PZL

TLHhnL

0,45

(2.4)

l-0,2 50

-0,2

160 130

30 22

18 30 20/12

f/cc = 4,75 B, ( = 0.8 В (0,9 В -для В-входов), U,f,= 2,0 В, /oL= 16 мА

(для Л-ВЫХОДОВ),

32 мА (для В-выходов)

UccJ В, (7/ = 0,8 В (0,9 В для В-выводов),

= 2,0 В, 1о = -1 мА (для Л-выходов), мА

(для В-выходов)

=5,25 В, f L = 0,45 В (7=5,25 В, и, =-.Ъ,2Ъ В

(Усе = 5,25 В, (7о = 0,45 В

(7сс = 5,25 В, (7о=5,25 В

f/cc = 5,25 В

(;сс= 5,0 В, С,= 100 пФ (для Л-выходов),

= 300 пФ (для В-выходов)

(70= 5,0 В, С= 100 пФ (для Л-выходов),

= 300 пФ (для В-выходов)

(7сс = 5,0 В, С, = 100 пФ (для Л-выходов),

= 300 пФ (для В-выходов)

(7-= 5,0 В, С;. = 100 пФ

(для Л-выходов),

С = 300 пФ (для В-выходов),

уровни отсчета 0,8 и 2,0 В (7сс= 5,0 В, и, = 2,5 В, / =- 1 МГц

Примечания. 1. Уровни отсчета при измерении временных параметров; при переходах LH, HL 1,5 В; при переходах Z, ZL 0,55 В; при переходах HZ, ZH 2,3 В.

2. Максимальные значения временных параметров приведены при температуре 25±10°С. В диапазоне температур -10...--70°С этн значения увеличиваются в 1,5 раза.