Рис. 1.10. Переключательный элемент (а) и его условное Е обозначение (б)

Рис. 1.10

Рис. 1.11. Схема дешифратора

Рнс. 1.12. Условное обозначение дешифратора

An о-

0 1 2 3 ,4 5 6 1 Ь 9 to 11 1115 i5

Рнс. I.И

о-о-

с 1 J

1--а

3f

да/7 1S19 го 21 22 23 225 2527 2829 3031

транзистора V5 или V7 недостаточно для того, чтобы элемент оказался подключенным к внешней цепи.

Предположим далее, что на входах Ао-А4 дешифратора Di действует некоторая комбнна£;ия, например 0 110 1. Ясно, что при этом положительное напряжение появился на 14-м сверху вы.ходе дешифратора и это напряжение

1 1 1

Чтение

Запись

Рис. 1.13. Функциональная схема модуля ОЗУ К537РУ1

будет действовать на всех входах X 14-й сверху строки матрицы запоминающих элементов. Таким образом, среди всех элементов матрицы окажется одни, а именно тот, который расположен на пересечении 11-го слева столбца и 14-й сверху строки, имеющий положительные напряжения на обоих входах X в Y. Причем (см. рис. 1.7) оба внешних вывода этого элемента оказываются подключенными к триггеру. Манипулируя выходами Чтение и Запись , можно либо запомнить О или 1, либо прочесть то, что было запомнено раньше. Для выбора одного из 1024 элементов нужно задать комбинацию положительных и нулевых напряжений на десяти входах: Ао-Ад.

Все сказанное представляет собой несколько упрощенное описание выпускаемой отечественной промышленностью микросхемы 537РУ1. Микросхема позволяет выбрать один из 1024 статических запоминающих элементов, запомнить в нем сведения о некотором факте, который может произойти или не произойти, и в любой последующий момент прочесть этн сведения. Подобные сведения принято называть данными. Если данные сводятся к выбору одной из двух возможностей, то говорят, что это один бит. Можно сказать также, что емкость описанной микросхемы составляет 1024 ячейки по I биту. Емкость в 1024 ячейки далеко не предел. В настоящее время выпускают всевозможные

микросхемы памяти, в том числе и обладающие значительно большей емкостью. Лучшие мировые достижения, правда, пока не реализованные в конструкциях, приближаются к миллиону ячеек. Выпускают также микросхемы, у которых запоминающие элементы объединены в группы и каждой конкретной комбинации напряжений на входах А соответствует выборка сразу целой группы, состоящей, например, из четырех или восьми запоминающих элементов.

Каждая микросхема памяти представляет собой основную структурную единицу оперативных (запоминающих устройств). Оперативными они названы потому, что запомненные в них данные можно в любой момент изменить, затрачивая на это столько же времени, сколько и на чтение. Сегодня это время измеряется сотнями, а у лучших образцов микросхем памяти десятками и даже единицами наносекунд.

Оперативное ЗУ обладает определенной структурой. Как правило, структура ОЗУ повторяет структуру данных, которые предполагается в нем запомнить. Так, в нашем примере с лифтом информация о положении кабины определяется состоянием одного из десяти контактов (по одному на этаж) или, как мы теперь скажем, словом из десяти бит. Эту информацию можно хранить в ОЗУ (так и делается в современных системах).

Структура ОЗУ, показанная на рис. /1.14, состоит из десяти микросхем, входы Ао-Ад которых соединены параллельно. Задавая иа эти входы определенные комбинации нулевых и положительных напряжений, можно выбрать в каждой микросхеме одну ячейку, а на выходах Чтение или Запись получать сразу 10 бит. Такая совокупность из некоторого количества бит, получаемых одновременно при задании одной входной комбинации, получила иа-

-oil

С>0 51

Рис. 1.14. Структурная схема 035