Амплитуда колебательного напряжения коллектора - Ькон, л -к =

Амплитуда первой гармоники коллекторного тока / = 2РШ., Эквивалентное сопротивление резонансной системы в коллекторной цепи = 1/к к1.

Вспомогательный коэффициент

а=У [1 +(соТэЛ/[1 +(wTs)2],

Коэффициент b определяют из графика рис. 1.34 по известным и а.

Для низкочастотного угла от-

сечки

4,0-0,8-0,6-0,-0,2 О 0,2 ,4 0,Б 0,8 Рис. 1.35

cos 0, =

<2=/ 0,SSu,V 0,50,3?0,20,1 О

/ / / ./. /

0,8 0,6

0,2 О

Ч,и -Ор -0,6 -Ofr -0,2 О 0,2 0,4- 0,6 0,8 Рнс. 1.36

По графикам рис. 1.35 и 1 ЗС при заданных а ио находят у\ и yj, соответствующие рабочей частоте п параметрам транзистора. Тг-да постоянная составляющая коллекторного тока

, 1о ,

ко- * к1-

Амплитуда импульса колтекюр-ного тока

Мощность, потребляемая коллекторной цепью,

Коэффициент полезного действия по коллекторной цепи

Мощность рассеяния на коллекторном переходе

Максимальная температура коллекторного перехода

max = ср + к ( пк +

ДОП,

где ipc - сопротивление радиатор-среда, выбираемое исходя из конструктивных особенностей применяемого радиатора. Если радиатор отсутствует, то

max = ср + к (/?пк + Лкс) пдоп-Коэффициент усиления по току

Амплитуда первой гармоники базового тока Амплитуда управляющего напряжения базы

Напряжение смешения на базе

Максимальное обратное напряжение эмиттерного переходс max =б ~ 6 I 0 дин.

Мощность возбуждения на базе

PiC =0,5/(51 Uq. Коэффициент усиления по мо.циосги

При работе транзистора на ВЧ (сОрддЗо)р,) па нощпосгь возбуждения, подаваемую на базу, влияет наличие обратной связи в транзисюре за счет коллекторной емкости транзистора и индуктивности вывода эмиттера являющегося общим для входной и выходной цепей. Коллекторная емкость увеличивает амплитуду первой rapiMOHHKH базового тока. Мощность возбуждения с учетом влияния С

/31 л -\- 0,ГссС (У Ли [1 + й,.р L, г, (0)J.

Необходихю отметить, что прс;.юкеаная мeидикa расчета дает расхождение с реальными резулььта.чпт не более 30% лишь при работе на частотах (Ор б 0,5а)гр Для расчета на более высоких частотах необходимо проводить измерения параметров транзисторов в режиме, соответствующем рабоче\!у.

Схема, обеспечивающая работу фанзистора с синусоидальным током в цепи базы, показана на рис. 1.37. Для создания такою режима необходимо, чтобы внутреннее сопротивление источника тока было больше сопротивления 6aзo-эли!-терного перехода как в открытом, так и в закрытом состоянии. Чаще всего это условие выполняется при вклточении последователыто входу транзистора индуктивной катушки, которая одновременно является контурной катушкой. Тогда ток в тепи базы будет контурным током

согласующей цепи. Подобные схемы построения согласующих цепей легко реализуются особенно на высоких частотах, когда сопротивления индуктивностеи втзтводов определяют входное сопротивление транзистора. При необходимости такую схему можно реализовать и на низких частотах.

Работа транзистора при возбуждении от генератора тока в цепи базы имеет ряд преимуществ по сравнению с работой транзистора при Еозбуждеини от генератора т.ашряжоштя. В этом режиме базовый ток задается источником тока и мало зависит от входнотю сопротивления транзистора н напряжения сдгига Я. Коллекторный ток зависит ог коэЬфициеттта усиления транзистора по току; его форма сохраняется

Рис. 1.37

практически неизменной во всем рабочем диапазоне частот транзистора. Отличием работн транзистора, возбуждаемого от генератора тока, является необходимость подачи внешнего запирающего напряжения смещения при угле отсечки коллекторного тока 9 90°. Недостатком такой схемы является меньшая по сравнению со схемой возбуждения от генератора напряжения устойчивость работы, связанная с наличием последовательно включенной в цепь базы индуктивности Lj, которая совместно о коллекторной емкостью Сц и индуктивностью контура Lg в цепи коллектора образует схему автогенератора индуктивной трехточки. В результате могут возникнуть нежелательные автоколебательные процессы.

Рассмотрим особенности формирования импульсов токов и напряжений в цепях базы и коллектора транзистора при возбуждении от генератора тока. Для упрощения рассуждений полагаем, что рабочая частота достаточно низкая и можно пренебречь влиянием цепей обратной связи через емкость С. На рис. 1.38, а-г приведены графики токов и напряжений базы и коллектора транзистора в функции со/.

Во внешней цепи базы протекает гармонический ток от генератора юка (рис. 1.38, а) Во время работы транзистора за счет рекомбинации неосновных носителей заряда в области базы возникает постоянная составляющая тока базы. Сопротивление базо-эмиттерного перехода в открытом состоянии зависит от диффузионной емкости Сд, а в закрытом состоянии - от барьерной емкости Cgg, причем Сд > Cga- Так как сопротивление Сазо-эмиттерного перехода имеет емкостный характер, то напряжение ьа нем по фазе будет отставать от тока на 90°. Форма напряжения на базо-эмиттерном переходе (f/бэ) представлена на рис. 1.38, б. Следует обратить внимание на существенное различие амплитуд напряжения, связанное с попеременным действием барьерной и диффузионной емкостей. В тот момент времени, когда напряжение Ug совпадает по величине с напряжением сдвига (Ug == Ec), базо-эмиттерный переход открывается и через него протекает ток (рис. 1.38, е).

Некоторое смещение импульса тока, протекающего через эмиттерный переход вверх относительно горизонтальной оси, связано с наличием постоянной составляющей го-

Рис. 1.38