продолжительными, поэтому и прч т = 1 ие следует опаслться перегрева анода

Напр>1жение анода лалты при анодной модуляции опчываегся выражением = £ат + cos Q/- cos со/ (ркс. 11.18). Большие напряжения анода появляются только при m1 и существуют краткорреме1!но. Как показал i практика, при анодной л!одуляции во.мижую превышение устсчовленпо!о для ламп пределиисто .значения

гостояннсго напряжения анодного питания. Правила эксплуатации ламп допускают в режиме дюлчаиия Ет = адолм- огда напряжение анодного ни.аиия в максимальной точке

Еа шах = £ат (1 + т) == 2£ат-

В режи.мг максимальной мощпости лэАша развив.=5ет кратковременно полезную мощность, вдвое превосходящио ее пасгюртную номинальную мощность PiboM- Следов.?тельно, ла.мпу (лашшА кюдулируе-мой стуттепи можно выбирать иа мощное! Pihom ~ О + / 1)1 == = 2PiT =- 0,5Pjp,a, т. е. мощность ламп, устанавлившеыых в ступень радиочастоты при анодной мод.уляции, вдвое г :еньше, чем при сеточной.

Таким образом, с(!ювны [и достоинстгами аиоднг ! модуляции являются меньщ1аи мощность ла.мп при той же Hoj.ejHo.i мощности передатчика, вдвое больщий к. п. д. анодной цепи, высокие линейность модуляционной характерисшки и эксплуатацно, ая устойчивость. Анодную модуляцию применяет в тех случаях, кс. щ режим амплитудной модуляции является Основным, иапг>Щкр в : эщных радиовещательных передатчиках или в передатчиках ближней авиациоиной радиотелефонной связи.

Особенностью анодной модуляш!и является необходимость мощного модулятора. Дейстрнтельно, для получения т = 1 амплитуда модулирующего напряжения звуковой частоты Uq = Е (рис 11.19).

Рис. 11.19

Амплитуда тока звуковой частоты Iq = /от- Мощность, потребляемая от модулятора анодной цепью, Pq = 0,5UqIq = ОМатот = 0,5Рот = 0,5Pi/ti (0,65-bO,75)Pir, где Рот - ающность, потребляемая анодной цепью в режиме молчания.

Мощность модулятора соизмерима с лющностью, потребляемой анодной цепью модулируемого генератора. Именно за счет мощности модулятора в модулируемой ступени фордцфуются боковые полосы модулированного колебания.

Так как ступени радиочастоты при анодной модуляции имеют высокий к. п д., анодную модуляцию в современных передатчиках производят в выходной ступени. Применение анодной модуляции в промежуточных ступенях нецелесообразно, так как следующие ступенн должь-ы будут работать в режиме усиления модулированных колебаний с низким к п. д (см. § П.З). Чтобы передатчик в целом имел высокий к. п. д , нужно обеспечить высокий к. п. д. модулятора. Для этого модулятор должен работать в режиме класса В Усилитель звуковой частоты, чтобы исключить нелинейные искажения, должен работать в режиме класса В и иметь двухтактное построение (см. рис. П. 17).

Поскольку анодный ток генератора линейно зависит от модулирующего напряжения, нагрузкой модулятора является входное сопротивление анодной цепи по посшянпому току: /?г = Uq/Iq == const. Постоянство Rr способствует достижению малых нелинейных искажений.

Применение современных тетродов в передатчиках с анодной модуляцией ограничено из-за недостаточной .мощности рассеяния на экранирующей сетке. Действительно, при анодной модуляции в ступени на тетроде при = const ток экранирующей сетки оказывается большим и мощность рассеяния Рс2 превышает допустимую мощность с2доп- Поэтому в ступенях на экранированных лампах применяют комбинированную анодно-экранную модуляцию (рис. 11.20, а). При этом модулирующее (звуковое) напряжение подается синфазно как в цепь анода, так и в цепь экранирующей сетки: Eg, = Ецт -f-+ (Уаа cos Qt; Е = сгт + ат cos Qt. При синфазном изменении напряжений питания анода и экранирующей сетки степень напряженности режима по экранирующей сетке практически не меняется, перераспределения тока между анодом и экранирующей сеткой не происходит (рис. 11.20, б). Анодный и экранный токи изменяются пропорционально напряжениям Е и £02 вследствие изменения положения статических характеристик лампы. Режим при анодно-экранной одуляции может быть любым: ГР, слабо НИР или слабо ПНР. В

(вязи с постоянством напряженности режима на статических модуля- ионных характеристиках анодно-экранной мод\ляиии нет перелома (ср. рис. 11.18,6; 11.15, а; 11.13, а, в; 11.10, а).

Рис. 11.20

Частотные искажения при анодной (анодно-экранной) модуляции определяются главным образом модулятором с учетом его работы на нагрузку шунтированную емкостью Ссл + Cxi + С-

§ 11.5. Коллекторная модуляция

Коллекторную модуляцию осуществляют изменением напряжения питания коллекторно!! цепи транзистора, рабо!ающе10 в критическом, переиапряжсином или ключевом режиме. К достоинствам коллекторной модуляции относи гея возможность получения линейной модуляционной характеристики при высохсом к. и. д.

Основные расчетные ссотьюшения, определяющие энергетические показатели модулируемого каскада и модулятора, аналогичны расчетным соотношениям при анодной модуляции и здесь не приводятся.

Рассмотрим особенности коллекторной модуляции. На рис. 11.21 представлена типичная схема осуществления коллекторной модуляции (КМ) в выходных каскадах г.ередатчика.

При КМ нельзя форсировать режим работы по напряжению и мощности рассеяния, так ттак превыщс1И1е максимального напряжения коллектора приводит к выходу транзистора из строя. Напряжение питания выбирают из условия -f Unnou- Обычно при /л =1 £к = 0,25(У д

Коллекторную модуляцию в основном осуществляют в связных передатчиках, где требования к линейности модуляционной характе-