выше, чем с перечисленными транзисторами. Соответственно и динамический диапазон смесителя на КН8 выше. Если еще учесть, что все четыре транзистора на одной подложке имеют одинаковые характеристики, то преимущество налицо. Транзисторы надежно переключаются от сигнала гетеродина уровнем 5...6 В (амплитудное значение). Верхняя планка динамики за счет увеличения уровня гетеродина не исследовалась, так как задача построения трансивера для очных соревнований не ставилась. При таком варианте включения микросхемы двухсигнальная избирательность составляет не хуже 94 дБ. На микросхеме DD1 и транзисторах VT1, VT2 собран формирователь сигналов гетеродина. Микросхема DDI делит частоту гетеродина на два и обеспечивает на выходе два противофазных сигнала типа меандр Транзисторы VT1 иУТ2 усиливают его до необходимого уровня, который можно регулировать подстроечным резистором R8. Если в качестве гетеродина будет использован обычный ГЦД без деления частоты, то вместо микросхемы K500TM131 нужно установить любой логический элемент, лишь бы он обеспечивал два противофазных сигнала на выходе. Это могут быть микросхемы как 500 серии (ЛМ105,ЛМ109),таки531, 1533 серий. Увеличив номинал резистора R10, можно уменьшить амплитуду гетеродина до требуемого уровня. Схема достаточно универсальна и позволяет использовать любые типы гетеродинов. Транзисторы VT1, VT2 необходимо подобрать с одинаковыми характеристиками. Если такой возможности нет, вместо R10 следует включить подстроечный резистор номиналом 68... 120 Ом между выводами эмиттеров транзисторов, средний вывод которого соединяют с корпусом. Этим резистором можно будет балансировать выход-

ные уровни. В качестве VT1, VT2 хорошо работают транзисторы типа КТ316, 342, 339, 368, 399 Если потребуется изготовить смеситель для очных соревнований, то вместо 500 серии устанавливаем ТТЛ микросхему, а в качестве VT1, VT2 используем КТ610 или КТ939. Амплитуду напряжения гетеродина можно довести до 12 В и более. Для справки: в одном из приемных устройств, которые пришли на смену Р-399А, используется смеситель на КР590КН8. Разработчики заявляют более 140 дБ по забитию и более 110 дБ по многосигнальной избирательности!?

Отношение витков в трансформаторе Т1 подобрано с таким расчетом, что входное сопротивление узла смесителя колеблется в пределах 48...68 Ом в зависимости от рабочей частоты. Трансформатор Т1 намотан на сердечнике, аналогичном Т2, проводом ПЭВ-2 0,2 мм. Обмотки содержат: 1 - 5 витков, II - 2х 12 витков. Если потребуется входное сопротивление ближе к 75 Ом (65...80 Ом), обмотка 1 должна содержать 6 витков.

Применение пассивного диплексера L5, R18 позволяет получить максимально возможную чувствительность и если не избавиться полностью, то значительно понизить уровень пораженных частот. В принципе, этот узел можно и не устанавливать. Неплохое согласование можно получить за счет подбора режима транзистора VT3. Двунаправленный каскад на VT3, компенсирующий затухание в смесителе и диапазонных полосовых фильтрах, должен иметь минимально возможный коэффициент шума. Многократное применение этого каскада показало его эффективную работу и высокие характеристики. Вместо указанного на схеме типа транзистора можно попробовать применить КП302, 303, 307 с максимальным

ш 300 ceo 0,01 мк

Рис 3

т iH

-csd-

Ш 500НКГН

R69 WOK

СВВ 0,1 мк IU15\-\\-

ЮПООк

ВАЗ Know

КХ 091 0,068 мк

та 100 uRS юо юг гк

С79 0,1 мк ЮО ЮОк

FTtZK / Ю$/

WJ KTJISB

Т J- +1 , П ГОП Шмк

СЗО ЮмкЧбВ

KUSZI

mi 100

CSJ 1мк*гов

Ш8 10 к

СЗО 0,1м к Rd6 300 i-R81к

15 /1

21 ms кд5£1

упг KT315B CBl j.jMKfeoB

C3Z iMKiOB

т tJOK т Юк

van да

5i= С18 IMK-ZSB

R77 го к

т Зк

R76 IK -t -cs

к зм

CSJ ImkZOBI ШО +i 086 Юмк16в

m Kuszi 1АД5г1 Т /зозц

C8f IHKXZOB

VBJ1

081 /

m KUSZl 521 Jo.-ilMK

R78 г,гм

F5SU=

г,7к

R58 Z,Zk tOMKlSB

nS7 3,3 k m КД522А 066 Юмк г 16в

5 WS