до уровня Unp=6,4±0,4 В (см. второй график рис. 3.35,6). По истечении защитного интервала времени U подадим через делитель напряжение и рф =Unp+Uj,pg =6,4+5,6=12(±0,5) В на адресный вход An (по которому требуется записать I). Напряжение и рф должно иметь пологий нарастающий фронт t = 0,l...l мкс; длительность импульса программирования tnp должно быть 100... 125 мкс. Сила тока в импульсе программирования 1пр= 150±25 мА. Одним таким импульсом программируется по выбранному адресу один бит. Для программирования других таких точек пересечения проводов матрицы (пусть-трех), расположенных по этому адресу (см. рис. 3.35, а), следует подать три импульса (И0--И2) напряжения программирования Ппрф. Для проверки программирования по заданному адресу необходимо уменьшить напряжение иа выводах Ua.nKi и Пи.пкг до уровня UnpB=5,6±0,l В (высокий уровень проверяющего напряжения). На всех запрограммированных выходах Q0-Q3 должны быть напряжения высокого уровня. Достаточно время проверки 1прв=1 мкс.

Затем следует сменить адрес (А1) и провести программирование очередной области памяти по вышеизложенной последовательности. По окончании программирования всей микросхемы следует проверить его результаты, подав на выводы Ua.nKi и.пкз пониженное проверяющее напряжение UnpB = 4,8±0,l В. На входы АО-А7 следует подать циклическую последовательность адресов. Адресные выходные логические напряжения Ап для схемы рис. 3.35, а должны находиться на уровнях (UnpB+0,8B) и (UnpB-0,5 В) ±0,3 В. Форсирующий ток программирования /дрф = 2...3 мА при (/дрф=6,4±0,4 В.

Выходное напряжение порога сигналу для запрограммированного ПЗУ составляет (/и.п.к -1,3 В. Микросхема К500РЕ149 потребляет ток питания /пот =150 мА.

3.5. КОМБИНАТОРНЫЕ МИКРОСХЕМЫ СЕРИИ К1500

Субнаносекундные цифровые микросхемы серии К1500 отличаются большой мощностью потребления Рпот = 250...750 мВт. Такие микросхемы размещаются поэтому в корпусах, имеющих не только большое число выводов, но и способных отводить от кристалла мощности на уровне 1 Вт. Конструктивных исполнений таких малогабаритных корпусов, как правило, несколько. Например, для микросхем серии MECL 100 000 приняты два корпуса: пластмассовый DIP (два ряда выводов) и плоский керамический SLIM (планарное расположение выводов). На рис. 3.36 показано взаимное соответствие нумерации выводов для таких корпусов. Следует отметить, что все временные параметры микросхемы в корпусе SLIM лучше примерно на 0,2 не. Нумерация выводов для микросхем серии К1500, размещенных в керамическом корпусе с пла-иарно расположенными выводами (шаг 1,25 мм), соответствует корпусу (рис. 3.36, а).

В дальнейших параграфах на функциональных схемах дана нумерация выводов для микросхем в корпусе (рис. 3.36, а). Поскольку в обоих * корпусах располагаются одинаковые полупроводниковые кристаллы, нетрудно при необходимости по рис. 3.36, в установить взаимное соответствие нумерации выводов двух вариантов упаковки ЭСЛ (номера выводов корпуса SLIM даны в скобках). Микросхемы серий К500 и К1500 с одинаковыми названиями имеют принципиально различные структурные схемы (в отличие от микросхем ТТЛ и КМОП),

SJ ZZ Z1 ZO 19

7 д 9 WJI iz VunKt . OunKZ, B)

-(J)

-(г) (!)

-12f)

-122)

-(21]-Ы

-{17)

Рис. 3.36. Корпуса серии МЕСЫООк:

о - пластмассовый DIP; б - плоский SLIM; в - взаимное соответствие нумерации выводов этих корпусов {в скобках - для плоского корпуса)

Микросхема К1500ЛМ102 (рис. 3.37, а) содержит пять элементов ИЛИ/ИЛИ. Каждый элемент имеет два входа А, В и два выхода Q, Q. Кроме того, все пять элементов имеют общий вывод разрешения но входу EI. Логические состояния входов и выходов этой микросхемы сведены в табл. 3.21. Средняя потребляемая корпусом мощность - 248 мВт, ток потребления /пот находится в пределах 38...80 мА, наибольшее время задержки (от входа EI до выхода Q) не превышает 1,95 НС Время 1зд,р,ср для остальных сигналов не более 0,95 не.

Микросхема К1500ЛП107 (рис. 3.37,6) состоит из пяти двухвходовых элементов исключающее ИЛИ. Каждый элемент имеет три внешних выхода: Q и Q и внутренний, сигнал с которого АфВ поступает иа пятивходовый элемент ИЛИ. Выход его Q6 дает сигнал сравнения. В табл. 3.22 показана сводка данных для операции исключающее ИЛИ АфВ в каждом из пяти каналов. Видно, что на выходе Q сигнал имеет низкий уровень, если А=В (оба уровня напряжения низкие И или высокие В). Во второй части табл. 3.22 показаны также логические состояния на выходе ИЛИ. На выходе Q6 уровень низкий будет только в случае, если все входные сигналы равны (А1=В1, А2 = В2,..., А5 = В5).

Средняя потребляемая К1500ЛП107 мощность составляет 280 мВт, ток потребления InoT находится в пределах 46...96 мА, среднее время задержки распространения равно 0,95 нс, однако сигнал на выходе Q6 может появиться с задержкой 1,25...2,75 не.

Таблица 3.21. Состояния одного,канала из микросхемы К1500ЛМ102

Ql

SI 2-

62

М ,83

- QI

Н1500/1П1Ш

t.Q3 -

вз -

/12 -

EI

□

1>

□

тзоолМй

>Q5 ,./75

-Ql -Ql

Ql J-Ql

,flZ

,/11

- W -53

QZ 02

Рис. 3:37. Варианты микросхем ИЛИ из серии К1500:

а -микросхема ИЛИ/ИЛИ ЛМ102,. б -микросхема исключающее ИЛИ ЛП107:

8 -микросхема ИЛИ с разветвлением ЛП112; г - Дифференциальный приемник сигналов с линии ЛГИ 14