1.21,9 добавлен обычный оконечный каскад с транзистором-повторителем VT5 н ключевым транзистором VT6. Условное обозначение элемента ИЛИ показано на рис. 1.21, г. На рис. 1.21,д дана таблица состояний для двухвходового элемента ТТЛ ИЛИ.

В схемотехнике ТТЛ часто используют сложные логические элементы И/ИЛИ. Для этого у каждого из многоэмиттерных транзисторов VT1 и VT4 делают несколько входов. На рис. 1.22, а показан четырехвходовой элемент И/ИЛИ (точнее 2X2, т. е. две пары по два входа И). Здесь логическая 1 соответствует напряжению высокого уровня. Развернутая структурная схема элемента И/ИЛИ, представленная на рис. 1.22,3, содержит два двухвходовых элемента И (на-

с - п-

I------

1 I q

C - 1-

Рис. 1.22. Комбинированный элемент И/ИЛИ:

а - принципиальная схема; б - многоэмнттерный траизистор; в - таблица его состояний; г, д - функциональные обозначения элемента И/ИЛИ

помним, что многоэмиттерные транзисторы VT1 н VT4 логические уров-ни ие инвертируют, рис. 1.22,6-в), а также двухвходовой элемент ИЛИ (это траизисторы-фазорасширители VT2 и УТЗ). Структурная схема на рис. 1.22, г составлена из трех логических элементов. Совмещенное начертание элемента И/ИЛИ показано на рнс. 1.22,5. Элементы И/ИЛИ выпускают в виде самостоятельных микросхем, их можно встретить в составе более сложных структур - коммутаторов цифровых сигналов.

1.7. МИКРОСХЕМЫ ТТЛ: И. И, И/ИЛИ, РАСШИРИТЕЛИ

Среди простых микросхем ТТЛ преобладают приборы с логичной И, И. Число микросхем, выполняющих логическую операцию ИЛИ, существенно меньше. Микросхемы И (без инверсии) представлены в табл. 1.11. Они различаются по числу логических элементов (от двух до четырех) и по числу входов каждого из них. Цоколевки этих микросхем показаны на рис. 1.23. Микросхемы ЛИ4 и ЛИ5 имеют выходы с открытым коллектором (см. рис. 1.25).

Для микросхем серии К555 время задержки распространения

В * Л-Я-? вз A3 A3BJ 13 12 11 10 ч

1 г 3 if 5 6

Al BI А1В1 AZ JZ AZBZ

AZ BZ

AZBZ

Al BI

AI SI

Рис. 1.23. Микросхемы И

BI SB

Al А1Б1С1 C3 B3 A3A3B3CS

Ci AZ BZ JZ AZSZCZ

AZ BZ

cz DZ Azszasz

11\ ID

Al BI

C1 BI AlBlClBl-

Таблица 1.11. Микросхемы ТТЛ и (без инверсии)

1зд,р не превышает 20 не, для серии К155 составляет 27 не,

здр = 19 НС. Для микросхемы К531ЛЙЗ 1зд,р не превышает 7,5 не. Выходной стекающий ток 1 для микросхем И серии К155 равен 16 мА, для К531ЛИЗ 20 мА, для серии К555 8 мА. Микросхема К155ЛИ1 потребляет ток 1по.г=33 мА (вариант К555ЛИ1 -9 мА), если на всех входах присутствует напряжение низкого уровня. В аналогичном режиме ток потребления для К155ЛИЗ составляет 20, а для К555ЛИЗ 6,6 мА. Для К555ЛИ4 ток IJ =6,6 мА, для К555ЛИ5 4,4 мА. Для каждой из этих микросхем 1пд., = 1,6 1.

Номенклатура микросхем И изображена в табл. L12, параметры, их сведены в табл. 1.13. Цоколевки микросхем ТТЛ И показаны на рис. 1.24. Следует отметить, что микросхема К531ЛА16 (рис. 1.24, ж)

5В Аг dZ

п лг тгшг

ттмк

К155Ш К155ЛА7

ABCBEFEH

W\ Э\ в

а) А1 В1

с л Е F в в

К155МЗ К155МЗ

нтмв

7J 12

К155ЛМ КШАЮ

g) Al BI AlBl Al 5B

вг AZBZ

Am ВЧ АЧ АВВЗ ВЗ A3 П\ 13 Щ 7?! ?g 3\

12- - .

г) S1 С1 Аг вг сг Агвгсг

К155ЛА11

ВВ iif Alt Am ВЗ A3 A3S3

AlBl A1 BI АШ AZ вг S) SB

К155ЛАВ

m 13

лг CZ BZ AZ Агвгсглг

e) Al B] AlBl AZ BZ AZBZ SSCO L к J I H Q

llj Щ 3

5\ В CI Л1

К531ЛА1Б

Ж) AlBl Рис. 1.24. Микросхемы И

Z 3 t 5 Б Т А В С Л Е F Б