WE -f

I I i I I I

I I I I

I I I I I I

CooSo I

- CnoSol

~[- CnoSo !6

at n аг лз аз

12 tl

Рис. 1.121. Оперативное ЗУ К155РУ2 (о) и его цоколевка (б)

требуется зафиксировать перед переключением уровней управления от низкого к высокому на входах CS или WE.

Микросхема К155РУ2 потребляет ток 100 мА, в варианте S 105 мА, в варианте LS 37 мА. Стекающий в открытый коллектор вы-

Та блица 1.92. Состояния ОЗУ К155РУ2

Таблица 1.93. Состояния ОЗУ К155РУ5

лодной ТОК более 24 мА. Для выбора режимов работы памяти РУ2 служит табл. 1.92.

Микросхема К155РУ5 (рис. 1.122)-структура матричного ОЗУ с организацией 256 слов по 1 биту. Матрица имеет 16 рядов и 16 колонок запоминающих ячеек. Для выбора ячейки, куда записано требуемое одноразрядное слово, служат два четырехвходовых дешифратора. Дешифратор X (адреса А1-А4) выбирает один из 16 рядов матрицы, а дешифратор Y (адреса В1-В4)-одну из 16 колонок (итого, 16Х XI6=256 адресов). Считывание данных ячейки и запись в ячейку проводятся усилителем считывания/записи, который имеет четыре входа

управления CS1, CS2, СЗЗ, WE, а также вход записи данных Dbx и выход данных Y. Вход ы CS U CS2 и СЗЗ открывают доступ к матрице памяти (для входов С31 и С32 активный уровень - низкий, для СЗЗ- высокий).

CSZ Г CS3

Усилители считывания -записи

АЗрес У

Ф rrdt+l

81 В2 83 вi

а)

Рис. 1.122. Оперативное ЗУ К155РУ5 (о) и его цоколевка (б)

По входу WE (активный уровень - низкий) разрешается запись в выбранную ячейку. Возможные режимы работы ОЗУ К155РУ5 перечислены в табл. 1.93.

Микросхема К155РП1 (рис, 1.123) - матрица памяти. Она имеет 16 ячеек и позволяет хранить 4 слова по 4 бита каждое. Микросхема организована по системе четырех файл-регистров, что позволяет независимо и одновременно записывать в память одно слово н считывать из нее другое.

В микросхеме РП1 каждый триггер имеет вход D, а так.же два входа разрешения записи от этого входа: V и &. На входы V и & в требуемых фазах поступают разрешающие сигналы управления от входов адресов записи WA и WB. Все входы D четырех горизонтальных линий триггеров соединены параллельно. Число входов данных - четыре (D1-D4)-соответствует числу горизонтальных линий. Следовательно, перебирая все четыре варианта подачи напряления низкого и высоко-

го уровня на входы WA и WB, можио разрешить одному из четырех столбиков триггеров сразу защелкнуть данные, которые есть в этот момент на входах D1-D4. Данные будут храниться только в выбранном вертикальном файле (от слова file -папка для документов; в данном случае - стоящая на полке, одну папку можно снять с полки для чтения, в другую - одновременно делать записи).

Посмотреть содержимое выбранного файла можно с помощью дешифратора считывания. Он управляется сигналами адреса считывания RA и RB (четыре адреса). Выбрав один из них, можио разре-. шить отображение на выходах Q1-Q4 состояния выходов Q четырех триггеров нужного нам столбика.

a) us RA Rt

Рис. 1.123. Матрица памяти К155РП1 (a) и ее цоколевка (б)

Четырехразрядное слово, которое надо записать в память, подается на входы данных D1-D4. Логические уровни на входах адреса записи WA и WB будут определять расположение этого слова.

Если на вход разрешения записи WE подано напряжение активного низкого уровня, данные поступят в ячейки выбранной одной из четырех вертикальных колонок (файлов). Данные будут прочтены на выходах в прямом (неинвертированном) коде. Если на вход WE подано напряжение высокого уровня, входы данным и адресам будут запрещены. Условия выбора режима записи сведены в табл. .1.94.

Прямой доступ к данным, накопленным в колонках, осуществляется благодаря независимым от адресов WA, WB адресам считы-