вания RA и RB. Если на вход разрешения считывания RE подано на-прял<ение активного низкого уровня, то выбранное по адресу RA, RB слово появится на выходах Q1-Q4. Выход данным запрещается и иа выходах остаются напряжения высокого уровня, когда иа вход RE подается напряжение высокого уровня. Выбор режимов считывания данных из внутренних защелок отобрален в табл. 1.95. Считываемые данные появляются на выходах Qn.

Выходы Q1-Q4 имеют открытые коллекторы. Такие выходы можно соединять непосредственно. При этом объединяется до 256 приборов РП1, что дает емкость устройства памяти 1024 слова по 4 бита. Можно сделать параллельное наращивание длины слова до п бит, если параллельно соединять входы разрешения и адресации нескольких микросхем РПК Порядок выбора адреса записи данных в ОЗУ РП1 соответствует табл. 1.96, где код Q = D на выходах четырех выбранных внутренних триггеров-защелок соответствует коду, присутствующему на четырех внешних входах данных, а Q0 - код, установившийся перед сменой состояний.

Порядок выбора адреса для считывания данных из ОЗУ РП1 указан в табл. 1.97. На выходах Q1-Q4 данные появляются согласно коду адреса: С1Б1--первый бит слова 1, С2Б2 -второй бит слова 2, ... С4Б4 - четвертый бит слова 4.

Таблица 1.94. Выбор режимов записи в память К155РП1

Таблица 1.95. Выбор режима считывания из памяти К155РП1

Таблица 1.96. Состояния ОЗУ К155РП1 при записи

Таблица 1.97. Состояния ОЗУ К155РП1 при считывании

Микросхема К155РП1 потребляет ток питания 150 мА, варианта LS -40 мА. Наибольшее время задержки распространения сигнала от входов данных D до выходов Q 45 не.

Микросхема К555ИР26 (рис. 1.124)- развитие предыдущего ОЗУ. Его структурная схема остается прежней, но выходы здесь имеют три состояния. Назначение выводов микросхемы ИР26 соответствует выводам К155ИП1.

Запись данных проводится согласно табл. 1.97, однако при считЫ вании напряжение высокого уровня, поданное на вывод разрешения считывания RE, переводит выходы в разомкнутое состояние Z (см. табл. 1.98). Выходы с тремя состояниями позволяют соединять 128 таких приборов. Это даст 512 мест расположения четырехразрядных слов. Ограничивающий фактор составления столь больших стеков (штабелей) памяти - чрезмерные выходные токи в момент, когда на входах

Таблица 1.98 Выбор режима считывания из памяти К555ИР26

Рис. 1.124. Регистр памяти К555ИР26

присутствуют напряжения высокого уровня. При дальнейшем наращивании памяти для стекаиия этих токов следует подключать внешние коллекторные резисторы нагрузки. Как и в микросхемах РП1, для параллельного наращивания длины запоминаемых слов требуется соединить вместе разрешающие и адресные входы соответствующего числа ОЗУ.

Потребляемый ОЗУ К555ИР26 ток питания ие более 50 мА, время задержки распространения сигнала от входа данных до выхода не превышает 45 не.

Микросхема К155РПЗ (рис. 1.125) -регистровое ЗУ. Его основой служит 16-разрядный файл-регистр, имеющий организацию 8 словХ Х2 бита (т.е. слова расположены в регистре по восьми адресам). Регистр снабжен входными и выходными портами для записи и чтения двухразрядных слов.

Регистр памяти обслуживают три порта: порт входных данных А, порт выходных данных В .(эти порты независимы, они имеют собственную адресацию), а также двухсекционный порт С. Секции входных и выходных данных порта С имеют общие адресные входы. Каждый порт имеет по три адресных входа Ад , Ав и Ап, что дает восемь адресов в регистр. Эти адреса позволяют обмениваться с накопительным регистром восемью двухбитными словами.

Одновременно можно проводить операции по трем местам распо-ложеиня слов: можно записать слово через порт А, по другому адресу прочитать слово через порт В, по третьему адресу через порт С можно прочитать и записать слово. Данные из порта А пройдут в регистр памяти по выбранному адресу, если на вход разрешения записи WE подано напряжение низкого уровня, а затем на тактовый вход С поступает положительный перепад напряжения (от низкого уровня к высокому).

3EMUXZ(1-8)

Порт а

f) MUX Z(8-!)

Парт S

SB Jul nB BO WE A2\1A0 RBRE QO вО г4Ъ Z2\ Z1\ 20\ 19\ wl n\ 1S\

К155РПЗ

7l 2\ S\ b\ 7i 8\ 9\ w\ tt\ г2

Al A,ff Ж, Л,1щ С AsZAsf/lgO ff O.-l-

Рис. 1.125. Трехпортовое регистровое ЗУ К155РПЗ (а) и его цоколевка (б)

Через порт В двухбитное слово поступит на выходы QBaBi, если на вход разрешения чтения REg подано напряжение низкого уровня. Эти выходы будут иметь разомкнутое Z-состояние, если на входе REg присутствует иапряжение высокого уровня. Считывание не зависит от наличия тактового импульса.

Через входную секцию порта С слово можно записать в регистр по одному из восьми адресов одновременно с записью по другому адресу слова через порт А (за один положительный перепад на тактовом входе Т). Одновременная запись через порты А и С по одному